লিথিয়াম niobate স্ফটিক সঙ্গে একটি চমৎকার piezoelectric উপাদাননিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য:উচ্চ কুরি তাপমাত্রা, পিজোইলেক্ট্রিক প্রভাবের নিম্ন তাপমাত্রার সহগ, উচ্চ ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল কাপলিং সহগ, কম অস্তরক ক্ষতি, স্থিতিশীল শারীরিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য, ভাল প্রক্রিয়াকরণ কর্মক্ষমতা, এবং বড় আকার এবং উচ্চ মানের স্ফটিক প্রস্তুত করা সহজ।সাধারণত ব্যবহৃত পাইজোইলেকট্রিক ক্রিস্টাল কোয়ার্টজের সাথে তুলনা করে,LNস্ফটিকউচ্চতর আছেশব্দের বেগজন্যউচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি উপাদান প্রস্তুতি, তাই ব্যবহার করা যেতে পারেকরতেরেজোনেটর, ট্রান্সডুসার, বিলম্ব লাইন, ফিল্টার ইত্যাদি. যা বেসামরিক এলাকায় খুব জনপ্রিয় অ্যাপ্লিকেশন আছেমোবাইল যোগাযোগ, স্যাটেলাইট যোগাযোগ, ডিজিটাল সিগন্যাল প্রসেসিং, টিভি, রেডিও, রাডার, রিমোট সেন্সিং,এবং বৈদ্যুতিক সামরিক এলাকায়পাল্টা ব্যবস্থা, ফুজ, নির্দেশিকা,ইত্যাদি..

সবচেয়ে ব্যাপকভাবেএলএন ক্রিস্টাল প্রয়োগসারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ ফিল্টার (SAWF).1970 সাল থেকে,LN থেকে তৈরি মিডফ্রিকোয়েন্সি SAWFক্রিস্টাল ব্যাপকভাবে রঙিন টিভি সেট, কর্ডলেস ফোন, ইলেকট্রনিক রিমোট কন্ট্রোল ইত্যাদিতে ব্যবহার করা হয়েছে। 2010 সালে, সিলিকন টিউনার ইন্টিগ্রেটেড চিপস প্রয়োগের মাধ্যমে, টিভি সেটে আইএফ সারফেস ওয়েভ ফিল্টারগুলি মূলত বাজার থেকে প্রত্যাহার করা হয়েছে।S1980-এর দশক থেকে, মোবাইল যোগাযোগ 2G থেকে 5G-তে স্থানান্তরিত হয়েছে, এবং মোবাইল টার্মিনাল অবশ্যই পিছিয়ে থাকা সামঞ্জস্যপূর্ণ হতে হবে,এই একটি আনাচাহিদা বৃদ্ধিSAWF. যদি ইach ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড প্রয়োজনsদুটি ফিল্টার, প্রতিটি ফোনইচ্ছাশক্তিএকশর বেশি প্রয়োজনSAWF. Mএর ostse SAWF LN থেকে তৈরি করা হয় orলিথিয়াম ট্যান্টালite স্ফটিক. SAWF ডিভাইসে এলএন ক্রিস্টাল বেশি জনপ্রিয় সঙ্গেতাপমাত্রা ক্ষতিপূরণনকশা (TCSAW).

পাইজোইলেকট্রিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, এর রচনাLNশব্দ বেগের উপর ক্রিস্টালের ব্যাপক প্রভাব রয়েছে এবং এর ওঠানামা পরিসীমা কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রণ করা প্রয়োজন. Bকারণ কিউরি তাপমাত্রা স্ফটিক রচনার জন্য খুব সংবেদনশীল, তাইitপ্রায়শই স্ফটিক রচনার ধারাবাহিকতা চিহ্নিত করতে ব্যবহৃত হয়।উপরন্তু, ক্রিস্টাল একক ডোমেন সরাসরি প্রভাবিত করবেএরপাইজোইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য।Tতাই,চাবিপ্রযুক্তিP-তে ব্যবহৃত LN স্ফটিকের ical স্পেসিফিকেশনiezoelectric ডিভাইস অন্তর্ভুক্তeকিউরি তাপমাত্রা,মনোপোল ডোমেইন,এবং অভ্যন্তরীণ বিক্ষিপ্ত কণা,ইত্যাদি. ক্রিস্টাল, যারাযান্ত্রিক তরঙ্গদীর্ঘতর তরঙ্গদৈর্ঘ্য সহ s সংবেদনশীল নয়জালির ত্রুটিগুলিকোনটি স্কেলেতরঙ্গদৈর্ঘ্যের চেয়ে অনেক ছোট. এলএন ক্রিস্টাল যা এর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করেপাইজোইলেকট্রিকআবেদন হয়বলা হয় "শব্দগ্রেড এলএনস্ফটিক"।

শাব্দ গ্রেডের কাটিয়া দিকLNক্রিস্টাল এর সাথে সম্পর্কিতএরনির্দিষ্ট আবেদন।Y-অক্ষ কাটিয়াLNস্ফটিক উচ্চ ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল কাপলিং সহগ আছে, কিন্তুকম আছেপ্রাপক তরঙ্গের অত্যধিক উত্তেজনার কারণে আবেদন।<1014> কাটিং ক্রিস্টালের শরীরের তরঙ্গের উত্তেজনা কম থাকে এবং এটি আরও ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়(TCSAW উদাহরণগুলির মধ্যে একটি). এর ওরিয়েন্টেশনে<1014>, Y-অক্ষঘোরেঘড়ির কাঁটার বিপরীত দিকে 127.86° কবৃত্তাকার X-অক্ষ.এই LN স্ফটিক হয়সাধারণত 128°Y হিসাবে উল্লেখ করা হয়LNস্ফটিকএছাড়াও,LNস্ফটিকs কাটিং কোণ সহ64°Y এবং 41°Yহয়উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পণ্য প্রস্তুত করার জন্য আরো উপযুক্ত.বর্তমানে,আকৃতিপাইজোইলেকট্রিকএলএন ক্রিস্টাল6 ইঞ্চি পৌঁছেছে।

উপরন্তু, লুইস এর pyroelectric প্রভাব প্রভাব রিপোর্টLN1982 সালে সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ ডিভাইসের প্রস্তুতির উপর স্ফটিক, এবং পাওয়া যায় যে এর পাইরোইলেক্ট্রিক প্রভাবLNক্রিস্টাল ইলেক্ট্রোড এবং স্ফটিকের ধ্বংসের দিকে নিয়ে যায়, যা উচ্চ প্রতিরোধের ধাতু শর্ট-সার্কিট ইলেক্ট্রোডের পদ্ধতি ব্যবহার করে দমন করা যেতে পারে।1998 সালে, স্ট্যান্ডিফার এট আল।আলো শোষণ বৃদ্ধির জন্য রাসায়নিক হ্রাস চিকিত্সা পদ্ধতি গ্রহণ করেLNক্রিস্টাল 1000 গুণ, ফটোলিথোগ্রাফির সময় সংকীর্ণ এবং সূক্ষ্ম রেখার এক্সপোজার গুণমান উন্নত করে এবং স্ফটিক বৃদ্ধি করে'sএর চেয়ে বেশি পরিবাহিতা1×10⁵ বারএই পদ্ধতিসংযত করাsক্রস ফিঙ্গার ইলেক্ট্রোডের ক্ষতিsএর তাপ চিকিত্সা প্রক্রিয়ায় pyroelectric প্রভাব দ্বারা সৃষ্টদ্যপৃষ্ঠ শাব্দ তরঙ্গ ডিভাইস.দ্যLNএই পদ্ধতিতে প্রস্তুত ওয়েফার বলা হয় "কালো এলএন"যাব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছেSAWF.

WISOPTIC (www.wisoptic.com) এর বাড়িতে উত্পাদিত উচ্চ মানের এলএন স্ফটিক