1976 সালে, Zumsteg ইত্যাদি. রুবিডিয়াম টাইটানাইল ফসফেট (RbTiOPO) বৃদ্ধির জন্য একটি হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতি ব্যবহার করে₄, RTP হিসাবে উল্লেখ করা হয়) স্ফটিক। আরটিপি ক্রিস্টাল একটি অর্থরহম্বিক সিস্টেম, মিমি2 পয়েন্ট গ্রুপ, P_na21 স্পেস গ্রুপ, বড় ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল সহগ, উচ্চ আলোর ক্ষতির থ্রেশহোল্ড, কম পরিবাহিতা, প্রশস্ত ট্রান্সমিশন রেঞ্জ, নন-ডেলিকেসেন্ট, কম সন্নিবেশ ক্ষতির ব্যাপক সুবিধা রয়েছে এবং উচ্চ পুনরাবৃত্তি ফ্রিকোয়েন্সি কাজের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে (100 পর্যন্ত kHz), ইত্যাদি. এবং শক্তিশালী লেজার বিকিরণের অধীনে কোন ধূসর চিহ্ন থাকবে না। সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, এটি ইলেক্ট্রো-অপ্টিক Q-সুইচগুলি প্রস্তুত করার জন্য একটি জনপ্রিয় উপাদান হয়ে উঠেছে, বিশেষ করে উচ্চ পুনরাবৃত্তি হার লেজার সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত.

RTP-এর কাঁচামালগুলি গলে গেলে পচে যায় এবং প্রচলিত গলিত টানা পদ্ধতিতে তা জন্মানো যায় না। সাধারণত, গলনাঙ্ক কমাতে ফ্লাক্স ব্যবহার করা হয়। কাঁচামালে প্রচুর পরিমাণে প্রবাহ যুক্ত হওয়ার কারণে এটি’বড় আকারের এবং উচ্চ মানের সাথে RTP বৃদ্ধি করা খুবই কঠিন। 1990 সালে ওয়াং জিয়াং এবং অন্যরা 15 এর একটি বর্ণহীন, সম্পূর্ণ এবং অভিন্ন আরটিপি একক স্ফটিক পেতে স্ব-পরিষেবা ফ্লাক্স পদ্ধতি ব্যবহার করেছিলেন মিমি×44 মিমি×34 মিমি, এবং তার কর্মক্ষমতা উপর একটি পদ্ধতিগত অধ্যয়ন পরিচালিত. 1992 সালে Oseledchikইত্যাদি. 30 আকারের RTP স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য একটি অনুরূপ স্ব-পরিষেবা ফ্লাক্স পদ্ধতি ব্যবহার করে মিমি×40 মিমি×60 মিমি এবং উচ্চ লেজার ক্ষতি থ্রেশহোল্ড। 2002 সালে কান্নান ইত্যাদি. অল্প পরিমাণ MoO ব্যবহার করেছে₃ (০.০০২ mol%) প্রায় 20 আকারের উচ্চ-মানের RTP স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য শীর্ষ-বীজ পদ্ধতিতে প্রবাহ হিসাবে মিমি 2010 সালে রথ এবং সিটলিন টপ-সিড পদ্ধতি ব্যবহার করে বড় আকারের আরটিপি বৃদ্ধির জন্য যথাক্রমে [100] এবং [010] দিক বীজ ব্যবহার করেন।

কেটিপি স্ফটিকগুলির সাথে তুলনা করে যার প্রস্তুতির পদ্ধতি এবং ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি একই রকম, আরটিপি স্ফটিকগুলির প্রতিরোধ ক্ষমতা 2 থেকে 3 মাত্রার বেশি (10⁸ Ω·সেমি), তাই আরটিপি স্ফটিক ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্ষতি সমস্যা ছাড়াই ইও কিউ-স্যুইচিং অ্যাপ্লিকেশন হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। 2008 সালে শালদিনইত্যাদি. প্রায় 0.5 প্রতিরোধ ক্ষমতা সহ একটি একক-ডোমেন RTP ক্রিস্টাল বৃদ্ধি করতে শীর্ষ-বীজ পদ্ধতি ব্যবহার করে×10¹² Ω·cm, যা বৃহত্তর স্পষ্ট অ্যাপারচার সহ EO Q-সুইচগুলির জন্য খুবই উপকারী। 2015 সালে Zhou Haitaoইত্যাদি. রিপোর্ট করেছে যে আরটিপি স্ফটিকের দৈর্ঘ্য 20-এর বেশি মিমি হাইড্রোথার্মাল পদ্ধতিতে জন্মানো হয়েছিল এবং প্রতিরোধ ক্ষমতা ছিল 10¹¹~10¹² Ω·সেমি. যেহেতু আরটিপি ক্রিস্টাল একটি দ্বি-অক্ষীয় স্ফটিক, এটি এলএন ক্রিস্টাল এবং ডিকেডিপি স্ফটিক থেকে আলাদা যখন একটি ইও কিউ- সুইচ হিসাবে ব্যবহার করা হয়। জোড়ায় একটি RTP অবশ্যই 90 ঘোরাতে হবে°আলোর দিক থেকে প্রাকৃতিক বিয়ারফ্রিঞ্জেন্সের জন্য ক্ষতিপূরণ। এই নকশার জন্য শুধুমাত্র স্ফটিকেরই উচ্চ অপটিক্যাল অভিন্নতার প্রয়োজন হয় না, তবে Q-সুইচের উচ্চ বিলুপ্তি অনুপাত অর্জনের জন্য দুটি স্ফটিকের দৈর্ঘ্য যতটা সম্ভব কাছাকাছি হওয়া প্রয়োজন।

একটি চমৎকার হিসাবে ইও Q- সুইচing সঙ্গে উপাদান উচ্চ-পুনরাবৃত্তি ফ্রিকোয়েন্সি, RTP ক্রিস্টালs আকারের সীমাবদ্ধতা সাপেক্ষে যা বড়দের পক্ষে সম্ভব নয় পরিষ্কার অ্যাপারচার (বাণিজ্যিক পণ্যের সর্বোচ্চ অ্যাপারচার মাত্র 6 মিমি). অতএব, আরটিপি স্ফটিক প্রস্তুতি সঙ্গে বড় আকার এবং উচ্চ মানের পাশাপাশি ম্যাচিং প্রযুক্তি এর RTP জোড়া এখনও দরকার বড় পরিমাণ গবেষণা কাজ.